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中国空间站生长InSe热电半导体晶体研究

发布日期:2023-11-27

报告题目:中国空间站生长InSe热电半导体晶体研究

报告人:金敏 (上海机电学院)

时间2023-11-29(星期)10:10

地点:知新 C1111

邀请人:王洪超


摘要:空间半导体晶体生长一直是世界各国争相研究的焦点。如今,随着各种新型半导体材料的发展及我国空间站建设的完善,亟需拓展更多有价值的材料进行研究。近年来,本团队报道发现一种InSe热电半导体晶体在块体形态下具有超乎寻常的塑性变形能力,为柔性热电器件应用开辟了一条新途径,在国际上引起广泛关注。然而,InSe晶体由于力学性能较软,在制备过程中易受复杂热应力和机械应力的作用,导致内部通常存在大量位错,它们将成为散射中心对材料的电/热输运性能造成影响。随着中国空间站逐步建设完善,在微重力环境下开展InSe晶体生长将为调控材料内部位错密度提供得天独厚的条件。本报告将详细介绍该团队首次在中国空间站上开展InSe晶体生长的实验结果。


个人简介:金敏,男,博士,上海电机学院教授。上海市优秀学术带头人、上海市曙光学者、上海市特聘教授(东方学者)。2008年博士毕业于中科院上海硅酸盐研究所,长期从事半导体晶体研究,在Science、Nat Mater、Nat. Commun.、ACS Energy Lett.、Nano Energy等期刊上发表论文100余篇,申请专利20余项,合作出版专著一本,主持和参与科研项目20余项。曾打破美日欧技术壁垒,自主研发了一种新型低成本GaAs半导体晶体生长技术并实现了量产,产品在国内及日韩市场实现销售。曾获中华人民共和国教育部科技成果完成者证书、中国石油和化学工业优秀出版物二等奖,第一/二届全国人工晶体青年学术会议优秀青年奖。